阳极氧化铝模板(AAO,Anodic Aluminum Oxide template)广泛应用于各种纳米线的沉积,由于它的孔径大范围可调,因此在沉积Fe纳米线时,不合适的孔径大小可能会导致在沉积过程中产生如气泡堵塞,表面沉积等不利于电沉积的现象。本文通过草酸体系二次氧化制备不同孔径的AAO模板,来研究孔径以及搅拌过程对沉积Fe纳米线的影响,利用电化学工作站来研究沉积时的电流-时间关系,用SEM来观察AAO模板的微观结构以及Fe纳米线的制备情况,从而得出在使用小孔径AAO模板(80nm以下)沉积Fe纳米线时,容易产生气泡堵塞和表面沉积等问题,搅拌可以有效防止气泡堵塞现象但不能改善表面沉积这一现象。 沉积产物的宏观形貌。2结果及讨论2.1微观形貌良好的AAO模板微观形貌是制备出Fe纳米线的的重要因素，图1为不同条件下制备的AAO模板及沉积的Fe纳米线SEM图。其中图1(a)为硫酸体系下制备的的AAO模板，未经扩孔工艺的模板孔径约为40nm纳米线沉积影响的研究-电动数控切管机张家港切管机全自动切管机数控切管机，其制备的的纳米线直径与AAO模板孔径相匹配；图1(b)为草酸体系下40V制备的软氧化模板，模板孔径约为80nm，  本文由公司网站张家港切管机网站采集转载中国知网网络资源整理! http://www.qieguanji.cc其所制备的Fe纳米线长度只有8μm左右，不符合对应时间条件下制备的纳米线长度，只沉积了12min左右，可能因为气泡堵塞或表面沉积现象堵塞模板孔道导致沉积停止，由于该实验过程加入了搅拌过程，气泡堵塞的可能性较校图2为2号模板沉积Fe纳米线的正面SEM图，从图中我们可以看出，模板孔道内有部分杂物，初步判定为沉积到AAO模板表面的产物，出现表面沉积现象。根据张秀力等人对纳米管形成机理的探讨认为，在一个给定的体系，存在一个临界电位，当沉积电位大于临界电位时，沉积产物为纳米管。在沉积纳米管时，几何结晶学认为，其晶体生长主要受动力学因素控制，晶体外形将偏离其理想状态。对于一给定的AAO模板，当模板孔径越小时，沉积纳米管越困难，对2号模板，其孔径为80nm左右，符合易生长纳米管的要求，在沉积过程中，Fe纳米线的生长容易偏离预生长模型，出现表面沉积现象。图2右侧为2号模板沉积Fe纳米线后的光学显微镜侧面图，黑色部分为纳米线产物，长度约8μm，为出现表面沉积前的纳米线长度。图1（a）1号模板及其制备的Fe纳米线SEM图图1（b）2号模板及其制备的Fe纳米线SEM图2.2电流-时间关系图3为各样品的C-T图，其中，图3(a)和图3(b)为出现异常现象（如气泡堵塞、表面沉积）时的沉积曲线，由于1号模板沉积Fe纳米线时未搅拌，纳米线沉积影响的研究-电动数控切管机张家港切管机全自动切管机数控切管机  本文由公司网站张家港切管机网站采集转载中国知网网络资源整理! http://www.qieguanji.cc